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台湾博盛场效应管
- Power MosFET
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Power MosFET
台湾博盛半导体股份有限公司
   
 
特性 场效应管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。   應用 在大规模和超大规模集成电路中被应用。
         
 
规格
P/N Package Type VDS(V) MOSFET Type RDS(ON) (mΩ) max. at VGS=10V ID (A) Tc=25℃ Datasheet
PDN3611S SOT-23 -30 Single P 65 -4.1
PDD4909 TO-252 -40 Single P 45 -16
PDD3908 TO-252 30 Single N 9 55
PDD0958A TO-252 100 Single N 85 15
PDD20N20 To-252 200 Single N 130 20
PMR04N60 TO-251 600 Single N 250 4
PJD04N70L TO-251 700 Single N 930 7
PDF12N70 TO-220F 700 Single N 110 12
PJF11N65A TO-220F 650 Single N 380 11

 
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